介電常數介質損耗測試儀廠家

使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器，為了提高測量精度，除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測試方法和殘余參數修正方法。

1．測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調節(jié)主調電容或主調電容數碼開關時，當接近諧振點時請緩調；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測量（基本測量法）

介電常數介質損耗測試儀電感器：

按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。

高頻介質樣品（選購件）：
在現行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。

該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

介電常數和介質損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。

同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數變化，通過公式計算得到介電常數。

 介電常數介質損耗測試儀特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數介質損耗測試儀主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

 使用條件

①環(huán)境溫度： 0～40℃

②相對溫度：≤70%

③供電電流：交流 220V±10%50Hz

2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時

2.4 消耗功率：約 10W

2.5 外形尺寸：長寬深 355mm×320mm×145mm

2.6 重量：約 6kg(主機

安全注意事項

4.1 使用前務必詳閱此說明書，并遵照指示步驟，依次操作。

4.2 請勿使用非原廠提供之附件，以免發(fā)生危險。

4.3 進行測試時，本儀器測量端高壓輸出端上有直流高壓輸出，嚴禁人體接觸 ，以免觸電。

4.4 為避免測試棒本身絕緣泄漏造成誤差，接儀器測量端輸入的測試棒應盡可 能懸空，不與外界物體相碰。

4.5 當被測物絕緣電阻值高，且測量出現指針不穩(wěn)現象時，可將儀器測量線屏 蔽端夾子接上。 例如：對電纜測纜芯與纜殼的絕緣時，除將被測物兩 端分 別接于輸入端與高壓 端，再將電纜殼 ，芯之間的內層絕緣物接儀器 “G”，以消 除因 表面漏電而 引起的測量誤差。也可用加屏蔽盒的方法， 即將被測物置于金屬屏蔽盒內，接上測量線。